晶体管密度提升20%:台积电6nm芯片投入量产

2020-08-22 15:35:49 来源:网易数码
晶体管密度提升20%:台积电6nm芯片投入量产

  近几年我们看到芯片工艺从14nm、10nm再到7nm,网络上也是持续不断的各家夹杂着爱恨情仇的PK,这核心原因在于芯片技术堪称是各国的科技命脉,所有的智能化设备都离不开芯片。

  其实芯片工艺每进阶1nm都是相当相当困难的,这就好比百米赛场上你将成绩提升0.1秒,不是不可能只是非常难。那为何要如此去追求芯片工艺的瘦身呢?其实道理很简单,因为我们平时所讲7nm或者10nm说的是晶体管的宽度,制程越小,同样面积的芯片里,晶体管就越多,所带来的则是性能的突飞猛进。

  台积电已经将成熟且市场化的工艺推进到了7nm,相信过去一两年时间里大家也频繁的在媒体上看到了这个词,而其7nm产品被用在了包括比特大陆的矿机芯片、Xilinx(赛灵思)的FPGA芯片、苹果A12、华为麒麟980以及汽车自动驾驶领域。

  近日,台积电在官博上宣布,从2018年4月投产以来,台积电已经生产了10亿颗功能完好、没有缺陷的7nm芯片,达成新里程碑,而这10亿颗7nm芯片可铺满13个美国曼哈顿中心街区。

  不仅如此,台积电还表示6nm芯片已导入量产,晶体管密度提升了近20%,按照常规定律晶体管宽度每前进1nm性能将提升30%-60%。

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