据媒体最新报道，联发科天玑系列芯片将交由英特尔代工，这一消息在半导体行业引发了广泛关注。在苹果初步敲定使用英特尔18A工艺后，英特尔似乎又争取到了第二大客户联发科，后者预计将采用英特尔14A工艺。
众所周知，苹果可能会选择英特尔的18A-P工艺用于入门级M系列芯片，这颗芯片最快会在2027年出货。不止于此，苹果预计在2028年推出的定制化ASIC将采用英特尔的EMIB封装技术。目前苹果已经与英特尔签署了保密协议，并获取了其18A-P工艺的PDK样本用于评估。
值得注意的是，英特尔的18A-P工艺是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的节点，该技术允许通过硅通孔实现多个芯粒的堆叠。
现在有一个大胆的传闻称，英特尔已成功拉拢到另一个14A工艺的客户联发科。不过，将英特尔的14A工艺应用于联发科天玑系列等移动芯片并非易事。英特尔决定在18A和14A节点上全力押注背面供电技术，虽然这项决策能显著提升性能，但也会带来严重的自发热效应。
由于手机内部空间极其有限，这种自发热效应对于移动端Soc来说是一项严峻挑战，可能需要额外的散热措施才能确保稳定运行。如果双方能够成功克服这一技术瓶颈，不排除联发科和英特尔实现深度合作的可能。
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